HJT-zonnecellen hebben een dubbelzijdig ontwerp, dat invallend licht en verstrooid licht van beide kanten kan absorberen. oppervlaktereiniging, een monokristallijn siliciumwafer-type, en vervolgens wordt een zeer dunne passieve laag van natuurlijk silicium en met silicium gedoteerd N-type afgezet op de andere kant.

Nadat de amorfe siliciumlaagstapels zijn aangebracht, wordt PVD-magnetronsputtercoatingtechnologie toegepast om een ​​transparante geleidende oxide (TCo) film en metalen stapel aan beide zijden van de cellen aan te brengen.

Ten slotte worden metalen mazen aan beide zijden gevormd met behulp van onze innovatieve metallisatietechnologie.

Gebruik van heterojunctie zonnecel met een hoger rendement, tot meer dan 21,5% modulerendement.

Toonaangevende HJT Cell Half-Cut-technologie.

De meest stabiele temperatuurcoëfficiënt van vermogen -0,24% geeft een stabiele toename van de opbrengst.

Gebruik van N-typeplaat, geen DEKSEL veroorzaakt door B-O-paar
Uitstekende PID-weerstand.

De 85% tweezijdige factor geeft een grotere extra opbrengstverhoging van achter naar achter.