HJT-cellen maken gebruik van een geleidende ITO-laag en het oppervlak van de cel wordt niet opgeladen, waardoor LID- en LeTID-effecten worden vermeden. De afname in vermogen gedurende 30 jaar bedraagt minder dan 11,1%.

Aangezien de bovenkant van de cel is bedekt met een transparante geleidende oxide (TCO), polariseren ladingen niet op de TCO-laag van het celoppervlak, waardoor Potential Induced Degradation (PID) wordt voorkomen.

De modules maken gebruik van ongesneden HJT halfgrote cellen van 210 mm * 105 mm, waardoor schade en stress door het snijden worden verminderd, terwijl de voordelen van het halfcelontwerp behouden blijven.

HJT-modules bieden uitzonderlijke flexibiliteit, waardoor grotere buigingshoeken mogelijk zijn, wat de kans op verborgen scheuren tijdens transport en installatie vermindert en zo de betrouwbaarheid van het systeem aanzienlijk verhoogt.

HJT-cellen hebben dunne i-a-SiH-films tussen kristallijn silicium en gedoteerd amorf silicium, waardoor defecten op het oppervlak van het kristallijne silicium worden gepassiveerd. Dit resulteert in een hoge open-circuit voltage en sterke stroomopwekkingsprestaties.

PV-glas met vrijwel geen waterdoorlatendheid voorkomt dat vocht en lucht door het glas het paneel binnendringen en de prestaties aanzienlijk verminderen. De toegepaste POE-inkapselingsfilm biedt uitstekende weerstand tegen weersinvloeden, veroudering en hydrolysepreventie, waardoor het zonnepaneel een product- en prestatiegarantie van 30 jaar heeft.